三星携手美企SiliconFrontlineTechnology改善3纳米良率，希望赶超台积电
援引韩媒Naver报道，星携三星已经与美国的手美善纳SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半导体芯片在生产过程中的米良良率，以便于在3纳米工艺上赶超台积电。率希
报道中称，望赶三星电子先进制程良率非常低，超台自5纳米制程开始一直存在良率问题，积电在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。星携据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，手美善纳良率不超过20%，米良量产进度陷入瓶颈。率希
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的望赶问题，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。超台因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，积电帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。星携
IT之家了解到，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。
报道中称，望赶三星电子先进制程良率非常低，超台自5纳米制程开始一直存在良率问题，积电在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕。星携据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，手美善纳良率不超过20%，米良量产进度陷入瓶颈。率希
三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的望赶问题，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。超台因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，积电帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。星携
IT之家了解到，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。
本文地址：http://r3g.toupai527.com/news/681e939989919.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。